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      IRF9Z24N-MOS原裝,歡迎詢價
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      IRF9Z24N-MOS原裝,歡迎詢價

      型號/規格:

      IRF9Z24N

      品牌/商標:

      IR

      封裝形式:

      TO-220AB

      環保類別:

      無鉛環保型

      安裝方式:

      直插式

      包裝方式:

      盒帶編帶包裝

      產品信息

      • IRF9Z24N
      • 標準包裝 800
      • FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
      • FET特點 Standard
      • 漏極至源極電壓(VDSS) 55V
      • 電流-連續漏極(編號)@ 25°C 12A
      • Rds(最大)@ ID,VGS 175 mOhm @ 7.2A, 10V
      • VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250μA
      • 柵極電荷(Qg)@ VGS 19nC @ 10V
      • 輸入電容(Ciss)@ Vds的 350pF @ 25V
      • 功率 - 最大 3.8W
      • 安裝類型 Surface Mount
      • 包/盒 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
      • 供應商器件封裝 D2PAK
      • 包裝材料 Tape & Reel (TR)
      • 包裝 3D2PAK
      • 渠道類型 P
      • 通道模式 Enhancement
      • 最大漏源電壓 55 V
      • 最大連續漏極電流 12 A
      • RDS -于 175@10V mOhm
      • 最大門源電壓 ±20 V
      • 典型導通延遲時間 13 ns
      • 典型上升時間 55 ns
      • 典型關閉延遲時間 23 ns
      • 典型下降時間 37 ns
      • 工作溫度 -55 to 175 °C
      • 安裝 Surface Mount
      • 標準包裝 Tape & Reel
      • 最大門源電壓 ±20
      • 歐盟RoHS指令 Compliant
      • 最高工作溫度 175
      • 標準包裝名稱 D2PAK
      • 工作溫度 -55
      • 封裝 Tape and Reel
      • 最大漏源電阻 175@10V
      • 最大漏源電壓 55
      • 每個芯片的元件數 1
      • 供應商封裝形式 D2PAK
      • 最大功率耗散 3800
      • 最大連續漏極電流 12
      • 引腳數 3
      • 鉛形狀 Gull-wing
      • FET特點 Standard
      • 安裝類型 Surface Mount
      • 電流 - 連續漏極(Id ) @ 25 °C 12A (Tc)
      • 的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250μA
      • IRF9Z24N漏極至源極電壓(Vdss) 55V
      • 供應商設備封裝 D2PAK
      • 開態Rds(最大)@ Id ,V GS 175 mOhm @ 7.2A, 10V
      • FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
      • 功率 - 最大 3.8W
      • 輸入電容(Ciss ) @ VDS 350pF @ 25V
      • 閘電荷(Qg ) @ VGS 19nC @ 10V
      • 封裝/外殼 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
      • IRF9Z24NRoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
      • 其他名稱 IRF9Z24NSTRLPBFCT
      • 工廠包裝數量 800
      • 晶體管極性 P-Channel

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